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DDR3
VD3D系列大容量DDR3存儲器，由單片或多片DDR3基片采用立體封裝工藝進行堆疊而成。其高可靠、小型化的特性廣泛應用于航空航天領域嵌入式計算機系統。
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產品特性 |
總容量：16Gb;
頻率：最高達800MHz；
位寬：16bit，72bit；
電源電壓：1.5V，兼容1.35V；
封裝：BGA96、BGA199；
典型產品輻照指標：
TID: 100 krad（Si）
SEL: 60Mev·cm2/mg
SEU: 0.4Mev·cm2/mg
工作溫度：
0~70℃
-40℃~+85℃
-40℃~+105℃
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產品列表 |
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# |
DDR3 |
存儲
容量 |
存儲
組織 |
電壓 |
頻率 |
抗輻射 |
封裝 |
溫度
等級 |
篩選
等級 |
質量
等級 |
||
|
TID 1 |
SEL 2 |
SEU 3 |
||||||||||
|
1 |
VD3D16G16xB96xx2WH |
16Gb |
1Gx16 |
1.5V、1.35V |
667MHz |
100 |
60 |
0.4 |
BGA96 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
2 |
VD3D16G72XB199XX2WH |
16Gb |
256M*72 |
1.5V、1.35V |
667MHz |
100 |
60 |
0.4 |
BGA199 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
2、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
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相關下載 |
| VD3D16G16xB96xx2WH user manual.pdf |
 VD3D16G16xB96xx2WH user manual.pdf
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| VD3D16G72XB199XX2WH user manual.pdf |
VD3D16G72XB199XX2WH user manual.pdf
|
| 立體封裝模塊自動回流焊裝配規范.pdf |
立體封裝模塊自動回流焊裝配規范_opt.pdf
|
| 立體封裝模塊手工裝配工藝建議.pdf |
立體封裝模塊手工裝配工藝建議.pdf
|
| 立體封裝模塊加固建議.pdf |
立體封裝模塊加固建議_opt.pdf
|
| 立體封裝模塊焊接后清洗建議.pdf |
立體封裝模塊焊接后清洗建議.pdf
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4Mb 8Mb 16Mb 32Mb
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